PSI - Silizium – fast zum Zerreissen verspannt Dienstag, 02. Oktober 2012 - 17:07

PSI - Silizium – fast zum Zerreissen verspannt  Villigen, 02.10.2012 - Mechanisch extrem verspannte Silizium-Nanodrähte sind eine mögliche Grundlage für effizientere Transistoren

Zieht man ein Stück Silizium auseinander, erzeugt man in dessen Inneren eine mechanische Spannung, die die elektronischen Eigenschaften des Materials deutlich verbessert. Mit verspanntem Silizium lassen sich also z. B. schnellere und leistungsfähigere Mikroprozessoren bauen. Forscher des Paul Scherrer Instituts und der ETH Zürich haben nun ein Verfahren entwickelt, mit dem sie in einer Siliziumschicht 30 Nanometer dünne, verspannte Drähte erzeugen können. Deren Spannung ist die höchste, die bislang in einem Material beobachtet worden ist, das als Grundlage für Elektronikbauteile dienen kann. Ziel ist es, auf Basis solcher Drähte leistungsfähige Transistoren für Mikroprozessoren herzustellen. Bei dem Verfahren beginnt man mit einer dünnen Siliziumschicht, die durch Befestigung auf einer Unterlage schon eine Spannung hat. Durch gezieltes Wegätzen des umgebenden Materials erzeugt man in der Siliziumschicht den dünnen Draht, der wie eine winzige Brücke über einer Schlucht hängt und an ihrer schmalsten Stelle die höchste Spannung aufweist. Über die Ergebnisse berichten die Forscher in der neuesten Ausgabe des Online-Journals Nature Communications.

Paul Scherrer Institut